高低溫溫度沖擊試驗(yàn)箱（左右吊籃沖擊）：電子芯片IC、半導(dǎo)體陶磁及高分子材料之物理牲變化，測(cè)試其材料對(duì)高、低溫的反復(fù)測(cè)試。

一、型號(hào)：TSC-225PF-2P

二、沖擊溫度：-40~150

三、精度條件：高溫~低溫5分鐘內(nèi)達(dá)到，9點(diǎn)溫度均勻度正負(fù)2度

高低溫溫度沖擊試驗(yàn)箱（左右吊籃沖擊）

1)試驗(yàn)樣品應(yīng)按標(biāo)準(zhǔn)要求放置在試驗(yàn)箱內(nèi),并將試驗(yàn)箱(室)內(nèi)溫度升到達(dá)點(diǎn)，保持一定的時(shí)間至試驗(yàn)樣品達(dá)到溫度穩(wěn)定，以時(shí)間長(zhǎng)都為準(zhǔn)。

2)高溫階段結(jié)束后，在5min內(nèi)將試驗(yàn)樣品轉(zhuǎn)換到已調(diào)節(jié)到-55℃的低溫試驗(yàn)箱(室)內(nèi)，保持1h或者直至試驗(yàn)樣品達(dá)到溫度穩(wěn)定，以時(shí)間長(zhǎng)都為準(zhǔn)。3)低溫階段結(jié)束后，在5min內(nèi)將試驗(yàn)樣品轉(zhuǎn)換到已調(diào)節(jié)到70℃的高溫試驗(yàn)箱(室)內(nèi)，保持1h或者直至試驗(yàn)樣品達(dá)到溫度穩(wěn)定，以時(shí)間長(zhǎng)都為準(zhǔn)。

4、重復(fù)上述實(shí)驗(yàn)方法,以完成三個(gè)循環(huán)周期。根據(jù)樣件大小與空間大小，時(shí)間可能會(huì)略有誤差。恢復(fù)：試驗(yàn)樣品從試驗(yàn)箱內(nèi)取出后，應(yīng)在正常的試驗(yàn)大氣條件下進(jìn)行恢復(fù)，直至試驗(yàn)樣品達(dá)到溫度穩(wěn)定。

5.后檢測(cè)：對(duì)照標(biāo)準(zhǔn)中的受損程度及其它方法進(jìn)行檢測(cè)結(jié)果評(píng)定。